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HFT62245

碳化铪前驱体

N/A

- - 粘度40-90,1500度纯前驱体陶瓷产率>50%,溶剂可调

1kg
HFT64032

碳化锆前驱体

N/A

- - 粘度30-80,1500度纯前驱体陶瓷产率>36%,溶剂可调

1kg
HWG64032
NA

碳化锆前驱体

N/A

- 华威锐科 粘度:<200mPa·s(25°C),聚锆碳氧烷重量分数:67±3%,800°CN2气氛下陶瓷产率>=40%;1500℃时陶瓷产率>=30%

1kg
HWG64286
NA

碳化锆前驱体

N/A

- 华威锐科 固含量60%,陶瓷产率21%,溶剂:正丁醇,溶液黏度30-80mPa.S(溶剂可调)

500g
HWG65881
12070-06-3

碳化钽前驱体溶液

Tantalumcarbide

- - 固含量60%

100g
HWG66101

硅硼氧碳陶瓷前驱体

N/A

- - 可以光固化打印

1kg
HWG58417
NA

探针的前驱体

1-ethyl-4-((E)-2-(4-(2-(ethylamino)-2-oxoethyl)-6-(((E)-3-(4-(hydroxycarbamoyl)phenyl)allyl)oxy)-3-oxo-3,4-dihydroquinoxalin-2-yl)vinyl)pyridin-1-iumn

- 华威锐科 95.00%

100mg
HWG60970
NA

低温陶瓷化前驱体

N/A

- 华威锐科 陶瓷化温度240度

500g
HWG62245
NA

碳化铪前驱体

N/A

- 华威锐科 粘度≤150mPa.s,陶瓷产率≥35%

100g
HWG64285
NA

碳化铪前驱体

N/A

- 华威锐科 固含量60%,陶瓷产率30%,溶剂:正丙醇,溶液黏度30-110mPa.S(溶剂可调)

500g
HWG64447
NA

碳化锆前驱体

N/A

- 华威锐科 纯品,陶瓷产率(1500℃):≥36%,

500g
HWG64448
NA

碳化铪前驱体

N/A

- 华威锐科 纯品,陶瓷产率(1500℃):≥50%

500g
HWG64534
NA

碳化铪前驱体

N/A

- 华威锐科 固含量>60%,陶瓷产率>30%,溶剂:异丙醇

500g
HWG64535
NA

碳化锆前驱体

N/A

- 华威锐科 固含量>60%,陶瓷产率>22%,溶剂:异丙醇

500g
D0258
933-52-8

四甲基-1,3-环丁二酮 [二甲基乙烯酮的前驱体]

Tetramethyl-1,3-cyclobutanedione [Precursor to Dimethyl Ketene]

- TCI 99%

5G C8H12O2
F1263
879643-71-7

甲脒氢碘酸盐 (99.99%, 微量金属品) [用于钙钛矿前驱体]

Formamidine Hydroiodide (99.99%, trace metals basis) [for Perovskite precursor]

- TCI 99%

25G CH4N2.HI
M1182
38202-27-6

O-(2,4,6-三甲基苯磺酰基)乙酰羟肟酸乙酯 [强力氨化试剂的前驱体]

Ethyl O-Mesitylsulfonylacetohydroxamate [Precursor of the Powerful Aminating Reagent]

- TCI 98%

5G C13H19NO4S
T3449
10294-70-9

碘化锡(II) [用于钙钛矿前驱体]

Tin(II) Iodide [for Perovskite precursor]

- TCI 97%

5G SnI2
T3570
7772-99-8

氯化锡(II) [用于钙钛矿前驱体]

Tin(II) Chloride [for Perovskite precursor]

- TCI 97%

5G SnCl2
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